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VOLTCRAFT  100 W GaN USB-Ladegerät mit 2 m USB-C/USB-C Kabel, GaN
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VOLTCRAFT  100 W GaN USB-Ladegerät mit 2 m USB-C/USB-C Kabel, GaN
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VOLTCRAFT

N° d’article: mp-637b0f18-tproduct

Ein Ladegerät, viele Möglichkeiten Das VC-12910570 USB-Ladegerät von VOLTCRAFT kann bis zu 3 Geräte verschiedener Hersteller gleichzeitig schnell und effizient mit GaN-Technologie laden. Die 100 Watt Leistung ermöglichen das schnelle Aufladen eines Laptops, Tablets, Smartphones und weiteren Geräten mit USB-C® Anschluss. Um zusätzlich ältere Ladekabel und Geräte ohne Adadapter auf USB-C® problemlos weiterhin nutzen zu können wurde ein scneller USB-A® Anschluss mit bis zu 22.5 Watt Leistung ergänzend verbaut. GaN Technologie (geringe Wärmeentwicklung) Galliumnitrid kurz GaN ist ein Material, welches für Halbleiter in modernen Ladegeräten der neuesten Generation verwendet wird. Es wird bereits seit vielen Jahren bei LED Technologie sowie auch bei Solarzellen eingesetzt. Als herausragende Eigenschaft des GaN Materials auf dem Gebiet der Ladetechnik ist insbesondere die geringe Wärmeentwicklung hervorzuheben. Weniger Wärme bedeutet effizientere Leistung und das Einhalten höchster Sicherheitsstandards. Das innovative Material ermöglicht eine kleine, platzsparende Bauform im Vergleich zu herkömmlichen standard Ladegeräten.
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CHF 77.95

VOLTCRAFT 100 W GaN USB-Ladegerät mit 2 m USB-C/USB-C Kabel, GaN


Couleur:

Blanc

Taille:

ONE SIZE

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VOLTCRAFT

N° d’article: mp-637b0f18-tproduct

Ein Ladegerät, viele Möglichkeiten Das VC-12910570 USB-Ladegerät von VOLTCRAFT kann bis zu 3 Geräte verschiedener Hersteller gleichzeitig schnell und effizient mit GaN-Technologie laden. Die 100 Watt Leistung ermöglichen das schnelle Aufladen eines Laptops, Tablets, Smartphones und weiteren Geräten mit USB-C® Anschluss. Um zusätzlich ältere Ladekabel und Geräte ohne Adadapter auf USB-C® problemlos weiterhin nutzen zu können wurde ein scneller USB-A® Anschluss mit bis zu 22.5 Watt Leistung ergänzend verbaut. GaN Technologie (geringe Wärmeentwicklung) Galliumnitrid kurz GaN ist ein Material, welches für Halbleiter in modernen Ladegeräten der neuesten Generation verwendet wird. Es wird bereits seit vielen Jahren bei LED Technologie sowie auch bei Solarzellen eingesetzt. Als herausragende Eigenschaft des GaN Materials auf dem Gebiet der Ladetechnik ist insbesondere die geringe Wärmeentwicklung hervorzuheben. Weniger Wärme bedeutet effizientere Leistung und das Einhalten höchster Sicherheitsstandards. Das innovative Material ermöglicht eine kleine, platzsparende Bauform im Vergleich zu herkömmlichen standard Ladegeräten.

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